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考研人论坛 考研论坛 合肥工业大学 2012年 合肥工业大学 半导体物理真题(回忆版)
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2012年 合肥工业大学 半导体物理真题(回忆版)

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发表于 2013-1-9 17:06 |显示全部帖子
固体物理与微电子学 专业




题目大部分都在历年真题中。有需要的我也可以提供
变动部分,13年增加了判断正误题以及填空题。都很简单,平时只要稍加复习即可

有些变化的部分

简答题8×5'
“从能带角度说明为什么电子有效质量的绝对值小于空穴有限质量的绝对值,而电子的迁移率大于空穴的迁移率?”

“爱因斯坦关系是从平衡半导体推导出来的,是否适用于非平衡半导体?为什么?”

没变的如,什么是非简并半导体?判剧的意义。
半导体功函数与亲和能定义,以及对于同一半导体谁是不变量

接着判断正误5×3',没啥好说的,一眼就能看出来,平时复习认真些。

填空题(5小题,几个空忘了,大概10个)
考了锗的能带结构,如导带极小值方向,简约布里渊区有几个旋转椭球面

问答题1×10'
以前原题,在第四章,问的是半导体电阻率随温度变化关系。

计算题
忘了几题,只记得第一题15'最后两题10'
第一题以前没有,但是习题第一章都做过“一个晶胞的晶格间距为0.25nm,一个电子分别在100V/m和70000V/m的电场中,从价带顶运动到导带低所需时间?”
(7000,70000,还是700000我记不清了,反正是原题,而且不影响做题)

其他的再次强调,基本都是原题,且都是书本题目。

今年没有考作图题如常考的堆积,耗尽,反形以及强反形开始时的推导,或者异质结定义,书写规则和能带图。也没有B–T实验等等
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